IXFR66N50Q2

Версия для печати

Технические характеристики IXFR66N50Q2

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HiPerFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 33A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	50A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9125pF @ 25V
Power - Max	500W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	ISOPLUS247™
Корпус	ISOPLUS247™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFR66N50Q2 (MOSFET)

HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

Производитель:
IXYS

IXFR66N50Q2 datasheet
112.7 Кб