IXFV20N80P

Версия для печати

Технические характеристики IXFV20N80P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PolarHV™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	520 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	86nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4685pF @ 25V
Power - Max	500W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	PLUS-220
Корпус	PLUS220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFV20N80P (MOSFET)

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFV20N80P datasheet
326.3 Кб