IXFX170N20P

Версия для печати

Технические характеристики IXFX170N20P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	Polar™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	170A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	185nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	11400pF @ 25V
Power - Max	1250W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	PLUS247™-3
Корпус	PLUS247™-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFX170N20P (MOSFET)

Polar HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFX170N20P datasheet
143.5 Кб