IXFX64N60P

Версия для печати

Технические характеристики IXFX64N60P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PolarHV™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	96 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	64A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	12000pF @ 25V
Power - Max	1040W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	PLUS247™-3
Корпус	PLUS247™-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFX64N60P (MOSFET)

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXFX64N60P datasheet
169.9 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	CHINA
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	MIC	7 293	6.33
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	DC COMPONENTS	3 903	9.55
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В		23 808	6.73
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	Micro Commercial Co
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	GALAXY
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	KINGTRONICS
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	КИТАЙ	400	24.57
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	YJ	103	18.22
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	LGE	1 680	9.30
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	SUNTAN	144	10.82
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	WUXI XUYANG
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	YANGJIE	2 160	11.76
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	YANGJIE (YJ)
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	KOME
6A10	(P600M) диод 6А, 1000В	TRR
DSP25-16A		IXYS	21	391.17
DSP25-16A
FDH50N50		Fairchild Semiconductor
FDH50N50
IXFH44N50P	N-Ch 500V 44A 650W 0,14R	IXYS
IXFH44N50P	N-Ch 500V 44A 650W 0,14R			720.00
IXFX64N50P	Polarhv hiperfet power mosfet	IXYS
IXFX64N50P	Polarhv hiperfet power mosfet