IXKC19N60C5

Версия для печати

Технические характеристики IXKC19N60C5

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	19A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2500pF @ 100V
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	ISOPLUS220™
Корпус	ISOPLUS220™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXKC19N60C5 (MOSFET)

CoolMOS Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXKC19N60C5 datasheet
114.6 Кб