IXKP20N60C5M

Версия для печати

Технические характеристики IXKP20N60C5M

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1520pF @ 100V
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220FP
Корпус	TO-220FP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXKP20N60C5M (MOSFET)

CoolMOS Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXKP20N60C5M datasheet
101.1 Кб