IXTA180N10T7

Версия для печати

Технические характеристики IXTA180N10T7

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMV™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	180A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	151nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6900pF @ 25V
Power - Max	480W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-7, D²Pak (6 leads + Tab), TO-263CB
Корпус	TO-263-7

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTA180N10T7 (MOSFET)

TrenchMV Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTA180N10T7 datasheet
197.7 Кб