IXTA90N15T


Trench gate power mosfet

Купить IXTA90N15T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTA90N15T
Версия для печати

Технические характеристики IXTA90N15T

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C90A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4100pF @ 25V
Power - Max455W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусTO-263
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTA90N15T (MOSFET)

Trench Gate Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTA90N15T datasheet
193.1 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход