IXTC160N10T


Trenchmv power mosfet

Купить IXTC160N10T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTC160N10T
Версия для печати

Технические характеристики IXTC160N10T

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchMV™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C83A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs132nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds6600pF @ 25V
Power - Max140W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)ISOPLUS220™
КорпусISOPLUS220™
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTC160N10T (MOSFET)

TrenchMV Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTC160N10T datasheet
187.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход