IXTF1N400


N-канальный высоковольтный силовой mosfet-транзистор, 4000 в, 1 а

Купить IXTF1N400 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTF1N400
Версия для печати

Технические характеристики IXTF1N400

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)4000V (4kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2530pF @ 25V
Power - Max160W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)ISOPLUS i4-PAC™
КорпусISOPLUS i4-PAC™
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTF1N400 (MOSFET)

N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор, 4000 В, 1 А

Производитель:
IXYS

IXTF1N400 datasheet
148.9 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход