IXTH102N15T

Версия для печати

Технические характеристики IXTH102N15T

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	102A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5220pF @ 25V
Power - Max	455W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTH102N15T (MOSFET)

Trench Gate Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTH102N15T datasheet
233.9 Кб