IXTH10N100D

Версия для печати

Технические характеристики IXTH10N100D

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Depletion Mode
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	130nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2500pF @ 25V
Power - Max	400W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTH10N100D (MOSFET)

High Voltage MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTH10N100D datasheet
125 Кб