IXTH120P065T

Версия для печати

Технические характеристики IXTH120P065T

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchP™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	120A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	185nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	13200pF @ 25V
Power - Max	298W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTH120P065T (MOSFET)

TrenchP Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTH120P065T datasheet
220.2 Кб