IXTH3N120

Версия для печати

Технические характеристики IXTH3N120

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTH3N120 (MOSFET)

High Voltage Power MOSFETs

Производитель:
IXYS

IXTH3N120 datasheet
131.4 Кб