IXTH50P10

Версия для печати

Технические характеристики IXTH50P10

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	50A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	140nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4350pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247AD
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTH50P10 (MOSFET)

Standard Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTH50P10 datasheet
118.1 Кб