IXTN200N10T
Trenchmv power mosfet
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMV™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 50A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 200A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 152nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9400pF @ 25V |
| Power - Max | 550W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IXTN200N10T (MOSFET) TrenchMV Power MOSFET
Производитель:
|
