IXTP02N50D

Версия для печати

Технические характеристики IXTP02N50D

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Depletion Mode
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 Ohm @ 50mA, 0V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	200mA
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 25µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	120pF @ 25V
Power - Max	1.1W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTP02N50D (MOSFET)

High Voltage MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTP02N50D datasheet
94.3 Кб