IXTP2N80

Версия для печати

Технические характеристики IXTP2N80

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	440pF @ 25V
Power - Max	54W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTP2N80 (MOSFET)

High Voltage MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTP2N80 datasheet
113.2 Кб