IXTP2R4N50P

Версия для печати

Технические характеристики IXTP2R4N50P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PolarHV™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.75 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	240pF @ 25V
Power - Max	55W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTP2R4N50P (MOSFET)

PolarHT Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTP2R4N50P datasheet
90.8 Кб