IXTQ102N20T

Версия для печати

Технические характеристики IXTQ102N20T

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchHV™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	102A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	114nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6800pF @ 25V
Power - Max	750W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3P
Корпус	TO-3P

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTQ102N20T (MOSFET)

TrenchHV Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTQ102N20T datasheet
178.2 Кб