IXTQ200N10T


Trenchmv power mosfet

Купить IXTQ200N10T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTQ200N10T
Версия для печати

Технические характеристики IXTQ200N10T

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchMV™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C200A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs152nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds9400pF @ 25V
Power - Max550W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-3P
КорпусTO-3P
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTQ200N10T (MOSFET)

TrenchMV Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTQ200N10T datasheet
169.9 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход