IXTQ230N085T

Версия для печати

Технические характеристики IXTQ230N085T

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMV™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	85V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	230A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	187nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9900pF @ 25V
Power - Max	550W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3P
Корпус	TO-3P

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTQ230N085T (MOSFET)

TrenchMV Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTQ230N085T datasheet
205.1 Кб