IXTQ280N055T

Версия для печати

Технические характеристики IXTQ280N055T

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMV™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	280A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9700pF @ 25V
Power - Max	550W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3P
Корпус	TO-3P

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTQ280N055T (MOSFET)

TrenchMV Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTQ280N055T datasheet
141.3 Кб