IXTQ52N30P

Версия для печати

Технические характеристики IXTQ52N30P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PolarHT™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	66 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	52A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3490pF @ 25V
Power - Max	400W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3P
Корпус	TO-3P

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTQ52N30P (MOSFET)

PolarHT Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTQ52N30P datasheet
168.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1943+2SC5200	Пара NPN +PNP транзисторов 230В, 15А, 30МГц, 150Вт	TOSH
2SA1943+2SC5200	Пара NPN +PNP транзисторов 230В, 15А, 30МГц, 150Вт
2SA1943+2SC5200	Пара NPN +PNP транзисторов 230В, 15А, 30МГц, 150Вт	TOSHIBA	1 520	629.76
HCPL-2400-000E		Avago Technologies US Inc
HCPL-2400-000E		BRO/AVAG
HCPL-2400-000E		AVAGO TECHNOLOGIES
HCPL-2400-000E		BROADCOM
HCPL-2400-000E
IRF9530N	P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	52	132.60
IRF9530N	P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт			67.56
IRF9530N	P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт	ФИЛИППИНЫ
IRF9530N	P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт	INFINEON
IRF9530N	P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт	1
ZTX651		ZTX
ZTX651		ZETEX
ZTX651				40.00
ZTX651		ZETEX	460
ZTX651		Diodes/Zetex
ZTX651		DIODES INC.
ZTX651		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
ZTX651		DIODES INC
ZTX651		DIODES
ZTX751		ZTX
ZTX751		ZETEX
ZTX751			1 752	29.92
ZTX751		ZETEX
ZTX751		Diodes/Zetex
ZTX751		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
ZTX751		DIODES