IXTT24P20

Версия для печати

Технические характеристики IXTT24P20

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4200pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-268
Корпус	TO-268

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTT24P20 (MOSFET)

Standard Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTT24P20 datasheet
576 Кб