IXTT8P50

Версия для печати

Технические характеристики IXTT8P50

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	130nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3400pF @ 25V
Power - Max	180W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-268
Корпус	TO-268

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTT8P50 (MOSFET)

Standard Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTT8P50 datasheet
515.7 Кб