IXTU01N100D

Версия для печати

Технические характеристики IXTU01N100D

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Depletion Mode
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 Ohm @ 50mA, 0V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100mA
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 25µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	120pF @ 25V
Power - Max	1.1W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	TO-251

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTU01N100D (MOSFET)

High Voltage MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTU01N100D datasheet
94.1 Кб