IXTU01N80


High voltage mosfet

Купить IXTU01N80 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTU01N80
Версия для печати

Технические характеристики IXTU01N80

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 Ohm @ 100mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C100mA
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds60pF @ 25V
Power - Max25W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
КорпусTO-251
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTU01N80 (MOSFET)

High Voltage MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTU01N80 datasheet
66.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход