IXTV03N400S


N-канальный высоковольтный силовой mosfet-транзистор, 4000 в, 0.3 а

Купить IXTV03N400S ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTV03N400S
Версия для печати

Технические характеристики IXTV03N400S

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs290 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)4000V (4kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C300mA
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs16.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds435pF @ 25V
Power - Max130W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PLUS-220SMD
КорпусPLUS-220SMD
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTV03N400S (MOSFET)

N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор, 4000 В, 0.3 А

Производитель:
IXYS

IXTV03N400S datasheet
186.3 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход