IXTV200N10T

Версия для печати

Технические характеристики IXTV200N10T

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMV™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	200A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	152nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9400pF @ 25V
Power - Max	550W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	PLUS-220
Корпус	PLUS220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTV200N10T (MOSFET)

TrenchMV Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTV200N10T datasheet
215 Кб