IXTY02N50D
High voltage mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Depletion Mode |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 Ohm @ 50mA, 0V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 200mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 25µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 120pF @ 25V |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252, (D-Pak) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IXTY02N50D (MOSFET) High Voltage MOSFET
Производитель:
|
