IXTY12N06T


Trenchmv power mosfet

Купить IXTY12N06T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTY12N06T
Версия для печати

Технические характеристики IXTY12N06T

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchMV™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs85 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C12A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs3.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds256pF @ 25V
Power - Max33W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусTO-252, (D-Pak)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTY12N06T (MOSFET)

TrenchMV Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTY12N06T datasheet
163.1 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход