IXZ210N50L
Rf power mosfet
|
Версия для печати
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 500 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 1000 |
| ID,А | 10 |
| PWT,Вт | 470 |
| Корпус | DE275 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IXZ210N50L (MOSFET) RF Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт |
|
339.44 | ||
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт | INFINEON |
|
|
|
| RD15HVF1-101 | MITSUBISHI |
|
|
|||||
| RD15HVF1-101 | MIT | 272 | 627.35 | |||||
| RD15HVF1-101 |
|
|
||||||
| SS94A2 | HONEY |
|
|
|||||
| SS94A2 | Honeywell Sensing and Control |
|
|
|||||
| SS94A2 | MICRO SWITCH/HONEYWELL |
|
|
|||||
| SS94A2 |
|
|
||||||
| SS94A2 | HONEYWELL |
|
|
