MBR30H100PT


Купить MBR30H100PT ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MBR30H100PT Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод... Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод шотки. улучшенная технология барьера для повышенной температурой перехода
  • Защита от перенапряжения
  • Малая потеря мощности, высокая эффективность
  • Малое падение прямого напряжения
  • Низкий ток утечки
  • Работа на высоких частотах
  • Выдерживает пайку при температуре 260°C в течение 40 сек.
  • Бессвинцовая технология
Версия для печати

Технические характеристики MBR30H100PT

Current - Reverse Leakage @ Vr5µA @ 100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If760mV @ 30A
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100V
Diode TypeSchottky
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
Тип монтажаThrough Hole, Radial
Корпус (размер)TO-3P-3, TO-247-3
КорпусTO-3P
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MBR30H100PT (Диоды Шоттки)

Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышенной температурой перехода

Производитель:
Vishay

MBR30H100PT datasheet
320.4 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход