MBRF10100CT


Купить MBRF10100CT по цене 16.93 руб.  (без НДС 20%)
MBRF10100CT Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MBRF10100CT 920 16.93 
MBRF10100CT (KLS) 316 34.07 

Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод шотки
  • Защита от перенапряжения
  • Малая потеря мощности, высокая эффективность
  • Малое падение прямого напряжения
  • Работа на высоких частотах
  • Выдерживает пайку при температуре 260°C в течение 40 сек.
  • Бессвинцовая технология
Версия для печати

Технические характеристики MBRF10100CT

Current - Reverse Leakage @ Vr100µA @ 100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If850mV @ 5A
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100V
Diode TypeSchottky
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3 Isolated Tab
КорпусITO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MBRF10100CT (Диоды Шоттки)

Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки

Производитель:
Vishay

MBRF10100CT datasheet
377.1 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    BIT3713     BITEK Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BIT3713     BIT Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BIT3713       Заказ радиодеталей 282.80 
    DAP08A       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    DAP08A       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    DAP08A     ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP460LCPBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)   VISHAY 2 904 253.45 
IRFP460LCPBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP460LCPBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)   VISHAY/IR Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP460LCPBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)   SILICONIX Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP460LCPBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)     152 334.52 
IRFP460LCPBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBRF10150CT     KEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBRF10150CT       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBRF10150CT     SMSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTRONICS 916 66.79 
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...     1 200 41.95 
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход