MMDF1N05E

Версия для печати

Технические характеристики MMDF1N05E

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	330pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMDF1N05E (MOSFET)

Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N?Channel SO?8, Dual

Производитель:
ON Semiconductor

MMDF1N05E datasheet
75.9 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DS3695ATM/NOPB		NATIONAL SEMICONDUCTOR	22	203.57
DS3695ATM/NOPB		0.00
FM25H20-DG	Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	RAMTRON
FM25H20-DG	Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	RAM
FM25H20-DG	Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free			2 160.00
FM25H20-DG	Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	ТАИЛАНД
FM25H20-DG	Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	CYPR
FM25H20-DG	Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	CYP
KXO-V97T 50.0 MHZ 3.3V +/-50PPM		GEYER ELECTRONIC
KXO-V97T 50.0 MHZ 3.3V +/-50PPM		GEYER
KXO-V97T 50.0 MHZ 3.3V +/-50PPM				517.60
TLV2461IDBVR		TEXAS INSTRUMENTS
TLV2461IDBVR		TEXAS INSTRUMENTS
TLV2461IDBVR				358.80
ULN2803LW				208.00
ULN2803LW		ALLEGRO MICROSYSTEMS INC