MTW32N20E


Power mosfet 32 amps, 200 volts n?channel to?247

Купить MTW32N20E ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MTW32N20E
Версия для печати

Технические характеристики MTW32N20E

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs75 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C32A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5000pF @ 25V
Power - Max180W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247-3 (TO-247AC)
КорпусTO-247
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MTW32N20E (MOSFET)

Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N?Channel TO?247

Производитель:
ON Semiconductor

MTW32N20E datasheet
83.5 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход