NTB30N20


Power mosfet 30 amps, 200 volts n?channel enhancement?mode d2pak

Купить NTB30N20 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTB30N20
Версия для печати

Технические характеристики NTB30N20

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs81 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C30A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2335pF @ 25V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTB30N20 (MOSFET)

Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N?Channel Enhancement?Mode D2PAK

Производитель:
ON Semiconductor

NTB30N20 datasheet
78.4 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход