NTB5605

Версия для печати

Технические характеристики NTB5605

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 8.5A, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	22nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1190pF @ 25V
Power - Max	88W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTB5605 (MOSFET)

Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp P-Channel, D2PAK

Производитель:
ON Semiconductor

NTB5605 datasheet
89.3 Кб