NTB60N06

Версия для печати

Технические характеристики NTB60N06

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	60A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	81nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3220pF @ 25V
Power - Max	2.4W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTB60N06 (MOSFET)

Power MOSFET 60 V, 60 A, N?Channel D2PAK

Производитель:
ON Semiconductor

NTB60N06 datasheet
85.7 Кб