NTD12N10
Power mosfet 12 amps, 100 volts n?channel enhancement?mode dpak
|
Версия для печати
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 6A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Power - Max | 1.28W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTD12N10 (MOSFET) Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N?Channel Enhancement?Mode DPAK
Производитель:
|
