NTD4856N

Версия для печати

Технические характеристики NTD4856N

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 30A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	13.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2241pF @ 12V
Power - Max	1.33W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTD4856N (MOSFET)

Power MOSFET 25 V, 89 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK

Производитель:
ON Semiconductor

NTD4856N datasheet
99.2 Кб