NTD5413N

Версия для печати

Технические характеристики NTD5413N

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	46nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1725pF @ 25V
Power - Max	68W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTD5413N (MOSFET)

Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts Single N?Channel DPAK

Производитель:
ON Semiconductor

NTD5413N datasheet
103.7 Кб