NTD5802N
Power mosfet 40 v, single n?channel, 101 a dpak
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 50A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 16.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5025pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTD5802N (MOSFET) Power MOSFET 40 V, Single N?Channel, 101 A DPAK
Производитель:
|
