NTD5803N

Версия для печати

Технические характеристики NTD5803N

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	76A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	51nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3220pF @ 25V
Power - Max	83W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTD5803N (MOSFET)

Power MOSFET 40 V, 76 A, Single N?Channel, DPAK

Производитель:
ON Semiconductor

NTD5803N datasheet
105.6 Кб