NTD5806N

Версия для печати

Технические характеристики NTD5806N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	33A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	860pF @ 25V
Power - Max	39W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTD5806N (MOSFET)

Power MOSFET 40V 33A 19 mOhm Single N-Channel DPAK

Производитель:
ON Semiconductor

NTD5806N datasheet
129.4 Кб