NTD95N02R

Версия для печати

Технические характеристики NTD95N02R

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2400pF @ 20V
Power - Max	1.25W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTD95N02R (MOSFET)

Power MOSFET 95 Amps, 24 Volts N?Channel DPAK

Производитель:
ON Semiconductor

NTD95N02R datasheet
66.3 Кб