NTGD3133P

Версия для печати

Технические характеристики NTGD3133P

FET Type	2 P-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	400pF @ 10V
Power - Max	560mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-74, SOT-457
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTGD3133P (MOSFET)

Power MOSFET ?20 V, ?2.5 A, P?Channel, TSOP?6 Dual

Производитель:
ON Semiconductor

NTGD3133P datasheet
105.9 Кб