NTGS1135P

Версия для печати

Технические характеристики NTGS1135P

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2200pF @ 6V
Power - Max	970mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-74, SOT-457
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTGS1135P (MOSFET)

Power MOSFET ?8 V, ?5.8 A, Single P?Channel, TSOP?6

Производитель:
ON Semiconductor

NTGS1135P datasheet
104.4 Кб