NTGS3130N

Версия для печати

Технические характеристики NTGS3130N

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	935pF @ 16V
Power - Max	600mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-74, SOT-457
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTGS3130N (MOSFET)

Power MOSFET 20 V, 5.6 A Single N-Channel, TSOP-6

Производитель:
ON Semiconductor

NTGS3130N datasheet
87.5 Кб